Подсистемы хранения данных



              

Что вслед за флэш? - часть 6


Кроме того, к достоинствам FRAM относят стойкость к радиации и другим проникающим излучениям. Эти свойства могут быть широко востребованы в специальных приборах, скажем, в исследовательских, направленных на нужды космоса, или дозиметрических — для работы в жестких условиях высокой радиоактивности или загрязненной окружающей среды.

Напомним, FRAM для реализации механизма хранения данных использует сегнетоэлектрический эффект — возможность материала сохранять электрическую поляризацию в отсутствие внешнего электрического поля. Ячейка памяти FRAM создается размещением сверхтонкой пленки сегнетоэлектрического материала в кристаллическом виде между двумя плоскими металлическими электродами, образующими конденсатор. Конструктивно последний очень похож на конденсатор, используемый при построении ячейки DRAM, однако вместо того, чтобы хранить данные как заряд в конденсаторе, подобно DRAM, сегнетоэлектрическая ячейка памяти хранит данные внутри кристаллической структуры. Сегнетоэлектрические кристаллы сохраняют два стабильных состояния — «1» и «0». Благодаря этому реализация базовой ячейки проста, как и схемы усилителя считывания и записи. Поскольку в ячейке FRAM отсутствует эффект утечки заряда, приводящий к потере информации, нет необходимости в периодической регенерации данных, как в DRAM. Более того, при отключении напряжения питания данные сохраняются.

Последние успехи производителей FRAM еще раз подтверждают широкие перспективы этой технологии. Очень показательны достижения компании Hynix Semiconductor. Так, разработчик представил опытные образцы ферроэлектрических чипов объемами 4 и 8 Мбит, и заявил, что в скором времени сможет увеличить их емкость в сотни раз. Первая особенность чипов — использование структуры 1T1C (один транзистор, один конденсатор) вместо стандартно принятой многими другими производителями более сложной схемы 2T2C (два транзистора, два конденсатора). Упрощенная схема позволит в будущем уменьшить рабочее напряжение до 1 В и ниже, снимая ограничение стандартной FRAM, а также увеличить ее скорость.




Содержание  Назад  Вперед