Подсистемы хранения данных



              

Что вслед за флэш? - часть 5


К сожалению, техника расположения нанотрубок путем разложения их вычленения из крупных пучков не применима. Компания Nantero предлагает располагать на подложках кремния тонкий слой нанотрубок в произвольном направлении, затем методом литографии удалять те из них, что расположены «не по шаблону». И хотя данный метод практически реализуем, его следует признать трудновыполнимым. Так, будет необходимо использование электронного микроскопа, который, считывая информацию о вновь нанесенном слое нанотрубок, создавал бы шаблон вытравливаемых элементов. Но каждый раз шаблон придется делать заново, иначе на подложках помимо рабочих элементов окажется множество «мусора», образованного остатками удаленных нанотрубок.

Однако достижения разработчиков впечатляют: созданный ими массив позволяет хранить до 10 Гбайт информации. При этом утверждается, что их методика может применяться и для получения массивов большего размера, поскольку определяющим фактором здесь являются возможности литографического оборудования. Кроме того, специалисты особо подчеркивают, что методика в значительной мере совместима с нынешними технологиями полупроводникового производства и с небольшими затратами может быть внедрена на существующих заводах. Особенно перспективной данная разработка выглядит в свете роста популярности импринт-литографии и EUV-литографии, а также методик безмасочного удаления слоев фотополимера.

Впрочем, многие разработчики не хотят мириться с недостатками флэш-памяти, считая, что сам механизм действия этой технологии (состоящий в перезаписи данных при считывании) при любых видоизменениях базовых компонентов будет сдерживать скоростной потенциал устройств на ее базе. Куда более рациональным методом развития энергонезависимых технологий памяти представляется исследование возможностей ферроэлектрического принципа хранения информации (Ferroelectric RAM — FRAM). К примеру, памяти FRAM изначально приписывали простоту, скорость и надежность в эксплуатации, свойственную DRAM, а также энергонезависимость и время хранения информации, присущее флэш-памяти.


Содержание  Назад  Вперед